SiC, GaN, MOSFETs and More: PCIM 2024 Is a Wrap

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### 概覽

在2024年6月11日至13日於德國紐倫堡舉行的2024年電力轉換與智能運動（PCIM）會議中，超過620家參展商展示了數十種新產品，突顯了電力電子領域的創新、發展和趨勢。

### Cambridge GaN Devices: 功率IC封裝

Cambridge GaN Devices（CGD）推出了兩款新的氮化鎵（GaN）功率IC封裝，適用於數據中心、逆變器等應用。這些GaN基功率設備相比於矽基設備，具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度和更好的熱導率。新封裝包括DHDFN-9-1，具有雙側散熱和緊湊的10x10 mm尺寸，適用於高達6 kW的應用。

### Alpha & Omega Semiconductor: SiC MOSFET封裝選項

Alpha & Omega Semiconductor Limited（AOS）在PCIM 2024上展示了其1200 V SiC MOSFET的新型表面貼裝和模塊封裝選項。這些封裝包括D2PAK-7L表面貼裝封裝和GTPAK表面貼裝封裝，後者具有頂部冷卻功能。此外，AOS還推出了其AlphaModule高功率無底板模塊系列的首款產品AOH010V120AM2，適用於住宅太陽能逆變器和快速直流充電站。

### SemiQ: 晶圓篩選計劃

SemiQ推出了已知良品晶圓（KGD）篩選計劃，該計劃提供高質量、電氣排序和光學檢查的SiC MOSFET技術，適用於高壓電源、牽引逆變器和電力調節系統。該計劃涵蓋了SemiQ的QSiC 1200 V SiC MOSFET產品組合，並引入了一款1700 V SiC肖特基二極管，適用於太陽能逆變器和EV充電。

### Mitsubishi Electric: IGBT模塊

三菱電機在PCIM 2024上展示了其最新的第八代LV100 IGBT模塊，適用於光伏系統、儲能、風力發電和工業驅動。這些模塊的電流容量從1200 A提升至1800 A，並且正在開發適用於1000 VAC應用的2.5 kV LV100功率模塊。

### Navitas Semiconductor: SiC MOSFETS

Navitas Semiconductor推出了其第三代快速（G3F）650 V和1200 V SiC MOSFET產品組合，這些產品在高功率計算系統中顯著提高了開關性能。G3F MOSFET採用專有的溝槽輔助平面技術，具有更高的效率和更長的壽命，適用於EV、太陽能、電池儲能系統和高功率計算系統。

Navitas 公司表示，G3F GeneSiC MOSFET 採用了專有的溝槽輔助平面技術（trench-assisted planar technology）。這些 MOSFET 在性能上超越了傳統的溝槽 MOSFET，同時在堅固性、可製造性和成本效益方面也優於競爭對手。它們提供高效率和高速性能，能夠使外殼溫度降低最多 25°C，並且壽命是競爭的碳化矽（SiC）產品的三倍。

溝槽輔助平面技術確保 RDS(ON) 隨溫度增加極低，這使得在整個操作範圍內的功率損耗降到最低。這項技術在實際高溫操作中，提供比競爭對手低 20% 的 RDS(ON)。