Trench-Assisted Planar Gate SiC MOSFET Technology runs 25°C cooler than competition.

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### 總覽

**GeneSiC 的溝槽輔助平面柵 SiC MOSFET 技術**

#### 技術優勢

- **優越的導電性和開關性能**：相比於傳統的矽技術，SiC MOSFET 具有更高的寬能隙特性和高電場強度。

- **專利設計**：GeneSiC 的溝槽輔助平面柵設計不妥協於製造、性能和可靠性，提供高產量製造、快速且低溫操作以及長壽命可靠性。

- **低 RDS(ON)**：在高溫下實現最低的 RDS(ON) 和最低的能量損失，達到業界領先的性能、堅固性和品質。

#### 系統設計考量

- **實際應用中的溫度管理**：在實際應用中，系統環境溫度可達 80°C，且設備的功率循環會進一步提高結溫。GeneSiC MOSFET 考慮到這些因素，支持業界最低的 RDS(ON) 溫度係數。

- **性能比較**：在比較測試中，GeneSiC 1200V、40 mΩ 的 D2PAK 與領先的 SiC MOSFET 競品相比，在相同的柵極驅動和測試條件下，GeneSiC MOSFET 的外殼溫度低 25°C，這導致顯著降低的損耗和更高的系統效率。

- **可靠性**：溫度降低 25°C，可延長設備壽命至三倍。

這些技術優勢使 GeneSiC 的 SiC MOSFET 在高溫操作下具有顯著的性能提升和可靠性，適用於各種高要求的應用場景。